RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD832A.M16FJ 16GB
Porównaj
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB vs Crucial Technology CT16G4SFD832A.M16FJ 16GB
Wynik ogólny
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Wynik ogólny
Crucial Technology CT16G4SFD832A.M16FJ 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Crucial Technology CT16G4SFD832A.M16FJ 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
31
48
Wokół strony -55% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
17.1
8.9
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
15.3
5.9
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
10600
Wokół strony 2.42 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD832A.M16FJ 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
48
31
Prędkość odczytu, GB/s
8.9
17.1
Prędkość zapisu, GB/s
5.9
15.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
25600
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1420
3520
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB Porównanie pamięci RAM
G Skill Intl F3-1600C9-4GRSL 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FH 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD832A.M16FJ 16GB Porównanie pamięci RAM
Kingston MSI26D4S9D8ME-16 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Corsair CM5S16GM4800A40K2 16GB
Netac Technology Co Ltd EKBLACK4083016A 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Crucial Technology BL16G32C16U4R.M16FE1 16GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Micron Technology MTA8ATF1G64HZ-2G3A1 8GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT16G4SFRA266.C8FB 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
V-GEN D4H8GS24A8 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Kingston HP26D4U9D8HC-16X 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Apacer Technology 78.CAGMR.40C0B 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Kingston KHX3466C16D4/8GX 8GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GRS 8GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
Asgard VMA45UH-MEC1U2AW2 16GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GVK 8GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Corsair CMK32GX4M4D3000C16 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Avant Technology J641GU42J5213N0 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Crucial Technology CT16G4SFS832A.C8FB 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link