RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.C8FB 4GB
Porównaj
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB vs Crucial Technology CT4G4DFS8266.C8FB 4GB
Wynik ogólny
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Wynik ogólny
Crucial Technology CT4G4DFS8266.C8FB 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
48
61
Wokół strony 21% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Crucial Technology CT4G4DFS8266.C8FB 4GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
18.4
8.9
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
8.5
5.9
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
10600
Wokół strony 2.01 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.C8FB 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
48
61
Prędkość odczytu, GB/s
8.9
18.4
Prędkość zapisu, GB/s
5.9
8.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
21300
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1420
2025
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB Porównanie pamięci RAM
G Skill Intl F3-1600C9-4GRSL 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FH 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.C8FB 4GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Kingston KF3600C18D4/32GX 32GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Avant Technology J641GU49J2320NE 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Corsair CM4X4GF2400C16N2 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMSO416F82-3200E 16GB
Team Group Inc. DDR4 2666 8GB
Corsair CM5S16GM4800A40K2 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FBD1 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Kingston 9965600-033.A00G 16GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSEK.8FBR 8GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6E3 8GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Mushkin MRA4S300GJJM16G 16GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Corsair CMD16GX4M4C3200C16 4GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Samsung M378T5663DZ3-CF7 2GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Kingston 9905598-009.A00G 8GB
Kingston K531R8-MIN 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS632A.M4FB 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link