RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT4G4SFS8213.C8FHP 4GB
Porównaj
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB vs Crucial Technology CT4G4SFS8213.C8FHP 4GB
Wynik ogólny
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Wynik ogólny
Crucial Technology CT4G4SFS8213.C8FHP 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Crucial Technology CT4G4SFS8213.C8FHP 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
26
48
Wokół strony -85% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
14.6
8.9
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
10.0
5.9
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
10600
Wokół strony 1.6 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT4G4SFS8213.C8FHP 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
48
26
Prędkość odczytu, GB/s
8.9
14.6
Prędkość zapisu, GB/s
5.9
10.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
17000
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1420
2389
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB Porównanie pamięci RAM
G Skill Intl F3-1600C9-4GRSL 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FH 8GB
Crucial Technology CT4G4SFS8213.C8FHP 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMSO480E82-3200E 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Samsung M471A5143DB0-CPB 4GB
Kingston KHX2133C14D4/4G 4GB
A-DATA Technology AD5U48008G-B 8GB
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6JJR8N
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Samsung M393A2K40BB2-CTD 16GB
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Kingston 99U5702-089.A00G 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2666 C16 Series 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Crucial Technology BL8G30C15U4B.M8FE 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
A-DATA Technology AX4S2800316G18-B 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Micron Technology 16A6A2G64HZ-2-2E1 16GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-4500C19-8GTZKKE 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
SK Hynix HMA82GR7AFR4N-TF 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
SK Hynix HMAA1GS6CJR6N-XN 8GB
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1B1 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.M16FA 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link