RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Samsung M393A2K40BB2-CTD 16GB
Porównaj
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB vs Samsung M393A2K40BB2-CTD 16GB
Wynik ogólny
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Wynik ogólny
Samsung M393A2K40BB2-CTD 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
28
65
Wokół strony 57% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
12.9
8.5
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
9.0
5.8
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Samsung M393A2K40BB2-CTD 16GB
Zgłoś błąd
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
12800
Wokół strony 1.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Samsung M393A2K40BB2-CTD 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
28
65
Prędkość odczytu, GB/s
12.9
8.5
Prędkość zapisu, GB/s
9.0
5.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
21300
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2112
1981
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB Porównanie pamięci RAM
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Kingston 99U5663-007.A00G 16GB
Samsung M393A2K40BB2-CTD 16GB Porównanie pamięci RAM
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
G Skill Intl F4-4500C19-8GTZKKE 8GB
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2800 CL15 8GB 8GB
Kingston HP669238-071-HYC 4GB
Crucial Technology CT16G4DFS8266.C8FB 16GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Samsung M378A2K43CB1-CTD 16GB
Samsung M393B1K70CHD-CH9 8GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZR 8GB
Corsair VSA2GSDS667C4 2GB
G Skill Intl F4-3000C14-8GVK 8GB
Kingmax Semiconductor KLDD48F-B8KU5 1GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FR 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Apacer Technology 78.CAGMR.40C0B 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Kingston 9905711-015.A00G 4GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6J1 8GB
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZSK 16GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FDD2 8GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Samsung M393A2K40BB2-CTD 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
G Skill Intl F4-4800C18-8GTRS 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link