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Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Samsung M393A2K40BB2-CTD 16GB
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Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB vs Samsung M393A2K40BB2-CTD 16GB
Pontuação geral
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Pontuação geral
Samsung M393A2K40BB2-CTD 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
28
65
Por volta de 57% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
12.9
8.5
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
9.0
5.8
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Samsung M393A2K40BB2-CTD 16GB
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Maior largura de banda de memória, mbps
21300
12800
Por volta de 1.66 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Samsung M393A2K40BB2-CTD 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
28
65
Velocidade de leitura, GB/s
12.9
8.5
Velocidade de escrita, GB/s
9.0
5.8
Largura de banda de memória, mbps
12800
21300
Other
Descrição
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tempos / Velocidade do relógio
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2112
1981
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB Comparações de RAM
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Kingston 99U5663-007.A00G 16GB
Samsung M393A2K40BB2-CTD 16GB Comparações de RAM
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
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A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
G Skill Intl F4-2800C16-4GRR 4GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G24002 16GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Kingston KTP9W1-MID 16GB
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