RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.M16FB 8GB
Porównaj
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB vs Crucial Technology CT8G4DFD824A.M16FB 8GB
Wynik ogólny
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Wynik ogólny
Crucial Technology CT8G4DFD824A.M16FB 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Crucial Technology CT8G4DFD824A.M16FB 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
28
48
Wokół strony -71% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.4
8.9
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
11.9
5.9
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
10600
Wokół strony 1.81 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.M16FB 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
48
28
Prędkość odczytu, GB/s
8.9
16.4
Prędkość zapisu, GB/s
5.9
11.9
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
19200
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1420
3036
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB Porównanie pamięci RAM
G Skill Intl F3-1600C9-4GRSL 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FH 8GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.M16FB 8GB Porównanie pamięci RAM
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB
Kingston 9965600-027.A01G 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Corsair CMK64GX4M4C3333C16 16GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.M16FB 8GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Kingmax Semiconductor GLAG43F-18---------- 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GRB 8GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Apacer Technology 78.B1GS6.AUC0B 4GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Apacer Technology 78.CAGP7.C7Z0B 8GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Crucial Technology BLS4G4S240FSD.8FBD 4GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
A-DATA Technology AO2P32NCSV1-BEVS 16GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Kingston 9965639-002.A01G 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FAD1 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTZRC 16GB
Corsair CM2X1024-6400C4 1GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0832161B 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851U6AFR6N
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link