RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FBD1 8GB
Porównaj
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB vs Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FBD1 8GB
Wynik ogólny
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Wynik ogólny
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FBD1 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FBD1 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
36
48
Wokół strony -33% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
14
8.9
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
10.1
5.9
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
10600
Wokół strony 1.6 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FBD1 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
48
36
Prędkość odczytu, GB/s
8.9
14.0
Prędkość zapisu, GB/s
5.9
10.1
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
17000
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1420
2416
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB Porównanie pamięci RAM
G Skill Intl F3-1600C9-4GRSL 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FH 8GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FBD1 8GB Porównanie pamięci RAM
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Corsair CMV4GX4M1A2400C16 4GB
Kingston 9905403-038.A00LF 4GB
Corsair CMD8GX4M2B3466C18 4GB
Samsung M471A2K43CB1-CTD 16GB
SK Hynix HMA851S6JJR6N-VK 4GB
Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS6266.M4FB 8GB
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
Panram International Corporation PUD42133C138G4NJK 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Essencore Limited IM48GU88N24-FFFHMB 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZR 16GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZKKF 8GB
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
Corsair CMH16GX4M2D3600C18 8GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-3200
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-16GFT 16GB
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Crucial Technology BL16G32C16U4B.16FE 16GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZ 8GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Kingston KF3200C16D4/8GX 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link