RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FBD1 8GB
Porównaj
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB vs Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FBD1 8GB
Wynik ogólny
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Wynik ogólny
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FBD1 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FBD1 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
36
48
Wokół strony -33% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
14
8.9
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
10.1
5.9
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
10600
Wokół strony 1.6 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FBD1 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
48
36
Prędkość odczytu, GB/s
8.9
14.0
Prędkość zapisu, GB/s
5.9
10.1
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
17000
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1420
2416
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB Porównanie pamięci RAM
G Skill Intl F3-1600C9-4GRSL 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FH 8GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FBD1 8GB Porównanie pamięci RAM
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Essencore Limited KD4AGS88C-32N220D 16GB
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
Kingston 9965640-016.A00G 32GB
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
G Skill Intl F4-4000C17-16GTZRB 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Corsair CMWX8GD3600C18W4 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Smart Modular SMU4TDC3C0K0464SCG 4GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Avant Technology J642GU42J7240NF 16GB
SpecTek Incorporated PSD34G13332 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Crucial Technology CB8GU2400.C8ET 8GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Corsair CMD32GX4M4B3000C15 8GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Essencore Limited IM4AGS88N24-FFFHA0 16GB
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Corsair CMT32GX4M2D3600C18 16GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS632A.M4FB 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE800SO102408-3200 8GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Corsair CMK16GX4M2B4266C19 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link