RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FBD1 8GB
Compara
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB vs Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FBD1 8GB
Puntuación global
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Puntuación global
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FBD1 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Informar de un error
Razones a tener en cuenta
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FBD1 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
36
48
En -33% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
14
8.9
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
10.1
5.9
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
10600
En 1.6 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FBD1 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
48
36
Velocidad de lectura, GB/s
8.9
14.0
Velocidad de escritura, GB/s
5.9
10.1
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
17000
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1420
2416
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB Comparaciones de la memoria RAM
G Skill Intl F3-1600C9-4GRSL 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FH 8GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FBD1 8GB Comparaciones de la memoria RAM
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FBD1 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Corsair CMD32GX4M4A2666C15 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Corsair CMK64GX4M2C3200C16 32GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
SK Hynix HMA851S6CJR6N-VK 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFSB.16FD 16GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-3G2B2 32GB
Corsair CM2X1024-8500C5D 1GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G28MA-21P 8GB
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Apacer Technology 78.C1GM3.C7W0B 8GB
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3000 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR8N
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Samsung M47472K43DB1-CTD 16GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Kingston KV0M5R-MIE 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Kingston 9905625-065.A00G 16GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link