RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GVK 4GB
Porównaj
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB vs G Skill Intl F4-2133C15-4GVK 4GB
Wynik ogólny
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-2133C15-4GVK 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-2133C15-4GVK 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
23
48
Wokół strony -109% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.2
8.9
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
11.9
5.9
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
10600
Wokół strony 1.6 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GVK 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
48
23
Prędkość odczytu, GB/s
8.9
16.2
Prędkość zapisu, GB/s
5.9
11.9
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
17000
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1420
2579
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB Porównanie pamięci RAM
G Skill Intl F3-1600C9-4GRSL 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FH 8GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GVK 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GVK 4GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
V-Color Technology Inc. TA48G30S815GK 8GB
SK Hynix HMT41GU6DFR8A-PB 8GB
Kingston 9905630-030.A00G 16GB
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
G Skill Intl F4-2800C15-4GVR 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZSK 8GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
Corsair CMK16GX4M2L3200C16 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR4N
Corsair CM2X1024-8500C5D 1GB
Corsair CMK8GX4M2B3000C15 4GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
V-GEN D4R8GL24A8R 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMR64GX4M4C3200C16 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Gloway International (HK) STKD4XMP2400-F 4GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G6D1 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link