RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-2666C15-8GVR 8GB
Porównaj
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB vs G Skill Intl F4-2666C15-8GVR 8GB
Wynik ogólny
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-2666C15-8GVR 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-2666C15-8GVR 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
29
48
Wokół strony -66% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
17.2
8.9
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.3
5.9
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
10600
Wokół strony 1.6 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-2666C15-8GVR 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
48
29
Prędkość odczytu, GB/s
8.9
17.2
Prędkość zapisu, GB/s
5.9
13.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
17000
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1420
3242
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB Porównanie pamięci RAM
G Skill Intl F3-1600C9-4GRSL 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FH 8GB
G Skill Intl F4-2666C15-8GVR 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston KHYXPX-HYJ 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-2666C15-8GVR 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
SK Hynix HMA81GS6AFR8N-VK 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVGB 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
EVGA 16G-D4-2400-MR 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology CT16G4DFRA32A.C8FE 16GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Apacer Technology 76.D305G.D060B 16GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FE 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E84-3000D 8GB
Kingston KVT8FP-HYC 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS8213.M8FA 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Samsung M378A1K43CB2-CRC 8GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Kingston KV0M5R-HYD 8GB
Mushkin 991679ES 996679ES 2GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GVS 8GB
Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB
Samsung M471A1K43DB1-CTD 8GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTZRC 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link