RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GTZB 4GB
Porównaj
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB vs G Skill Intl F4-3000C15-4GTZB 4GB
Wynik ogólny
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3000C15-4GTZB 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3000C15-4GTZB 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
19
48
Wokół strony -153% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
19.1
8.9
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
14.8
5.9
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
10600
Wokół strony 1.6 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GTZB 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
48
19
Prędkość odczytu, GB/s
8.9
19.1
Prędkość zapisu, GB/s
5.9
14.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
17000
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1420
2994
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB Porównanie pamięci RAM
G Skill Intl F3-1600C9-4GRSL 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FH 8GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GTZB 4GB Porównanie pamięci RAM
SK Hynix HMA851S6CJR6N-XN 4GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
AMD AE34G1601U1 4GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GTZB 4GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
INTENSO M418039 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology CT16G4SFDFD4A.M16FH 16GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3A1 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Crucial Technology BL16G26C16U4R.16FE 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FARG 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
SK Hynix HMA81GS6AFR8N-UH 8GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G24002S 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Corsair CMR64GX4M4C3200C16 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Corsair CMU32GX4M2A2666C16 16GB
Kingston 9905403-437.A01LF 4GB
Kingston X3XCFP-HYA 8GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
Corsair CMR64GX4M8X3800C19 8GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
Avant Technology W641GU42J7240NB 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link