RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GVRB 4GB
Porównaj
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB vs G Skill Intl F4-3000C15-4GVRB 4GB
Wynik ogólny
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3000C15-4GVRB 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3000C15-4GVRB 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
30
48
Wokół strony -60% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
17.2
8.9
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.5
5.9
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
10600
Wokół strony 1.6 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GVRB 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
48
30
Prędkość odczytu, GB/s
8.9
17.2
Prędkość zapisu, GB/s
5.9
13.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
17000
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1420
3157
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB Porównanie pamięci RAM
G Skill Intl F3-1600C9-4GRSL 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FH 8GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GVRB 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GVRB 4GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
Corsair CMD64GX4M8A2400C14 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Corsair CMK32GX4M4B3000C15 8GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
Corsair CM4X4GF2400C16N2 4GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Corsair CMR16GX4M2C3000C15 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Crucial Technology BL8G36C16U4W.M8FE1 8GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Kingston XCCT36-MIE 16GB
A-DATA Technology DDR4 2400 16GB
Corsair CM4X8GE2400C14K4 8GB
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
Apacer Technology GD2.111881.002 4GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTRG 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
G Skill Intl F4-4000C17-8GTRS 8GB
SK Hynix HMA81GS6CJR8N-VK 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS832A.M8FRS 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
SK Hynix HMA81GS6CJRJR-VK 8GB
Kingston K531R8-MIN 4GB
Corsair CMT64GX4M8Z3600C16 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link