RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GISB 8GB
Porównaj
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB vs G Skill Intl F4-3000C16-8GISB 8GB
Wynik ogólny
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3000C16-8GISB 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3000C16-8GISB 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
30
48
Wokół strony -60% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
17
8.9
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.3
5.9
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
10600
Wokół strony 1.6 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GISB 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
48
30
Prędkość odczytu, GB/s
8.9
17.0
Prędkość zapisu, GB/s
5.9
13.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
17000
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1420
3234
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB Porównanie pamięci RAM
G Skill Intl F3-1600C9-4GRSL 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FH 8GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GISB 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Apacer Technology 78.A1GC6.9H10C 2GB
Kingston 9905712-035.A00G 16GB
Kingston KF552C40-16 16GB
Wilk Elektronik S.A. GR3200D464L22S/16G 16GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GISB 8GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Crucial Technology BL8G30C15U4R.8FE 8GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Team Group Inc. DDR4 3600 8GB
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G1A1 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G16002 8GB
G Skill Intl F4-4800C20-16GTZR 16GB
Kingston 99U5595-005.A00LF 2GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FADP 8GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXW 8GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Mushkin 99[2/7/4]189F 4GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
G Skill Intl F4-3400C16-8GTZ 8GB
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6AFR8N
Corsair VS1GB800D2 1GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6D1 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link