RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZDCB 16GB
Porównaj
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB vs G Skill Intl F4-3200C14-16GTZDCB 16GB
Wynik ogólny
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZDCB 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZDCB 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
21
48
Wokół strony -129% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
19.5
8.9
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.5
5.9
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
10600
Wokół strony 1.6 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZDCB 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
48
21
Prędkość odczytu, GB/s
8.9
19.5
Prędkość zapisu, GB/s
5.9
13.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
17000
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1420
3512
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB Porównanie pamięci RAM
G Skill Intl F3-1600C9-4GRSL 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FH 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZDCB 16GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
A-DATA Technology AX5U5200C3816G-B 16GB
G Skill Intl F4-4266C19-32GTZR 32GB
Protocol Engines Kingrock 800 2GB 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD440D82-2400E 4G
Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G240081S 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMR32GX4M4D3200C16 8GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Kingston ACR26D4S9S8ME-8 8GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
V-Color Technology Inc. TL48G30S816KRGB 8GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FR 16GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
A-DATA Technology AX4S2800316G18-B 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Samsung M471A1G43DB0-0-B 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology BL8G36C16U4RL.M8FE1 8GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Vasekey M378A1K43BB2-CPB 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Kingmax Semiconductor GLLG42F-DA---------- 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZSK 8GB
Kingston HP698651-154-MCN 8GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1AX 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link