RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GTRS 16GB
Porównaj
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB vs G Skill Intl F4-3600C14-16GTRS 16GB
Wynik ogólny
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3600C14-16GTRS 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3600C14-16GTRS 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
23
48
Wokół strony -109% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
23
8.9
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
21.1
5.9
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
10600
Wokół strony 1.6 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GTRS 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
48
23
Prędkość odczytu, GB/s
8.9
23.0
Prędkość zapisu, GB/s
5.9
21.1
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
17000
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1420
4565
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB Porównanie pamięci RAM
G Skill Intl F3-1600C9-4GRSL 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FH 8GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GTRS 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GTRS 16GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Thermaltake Technology Co Ltd R022R432GX2-3600C18A 32GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Corsair CMK32GX4M4A2133C13 8GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd RA24D408GX2-3600C18A 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Apacer Technology GD2.1827CS.003 8GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Corsair CMK16GX4M2E4000C19 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-4000C15-8GVK 8GB
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
Kingston KM0VW4-MID 8GB
Kingston 9965516-430.A00G 16GB
Hyundai Inc AR36C18S8K2HU416R 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
AMD R748G2606U2S 8GB
Kingston KHX1600C9S3L/8G 8GB
Avant Technology W641GU42J9266NC 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Essencore Limited KD48GU881-26N190D 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Transcend Information JM2400HLB-8G 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSCK.8FD 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link