RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GTRS 16GB
Porównaj
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB vs G Skill Intl F4-3600C14-16GTRS 16GB
Wynik ogólny
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3600C14-16GTRS 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3600C14-16GTRS 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
23
48
Wokół strony -109% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
23
8.9
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
21.1
5.9
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
10600
Wokół strony 1.6 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GTRS 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
48
23
Prędkość odczytu, GB/s
8.9
23.0
Prędkość zapisu, GB/s
5.9
21.1
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
17000
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1420
4565
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB Porównanie pamięci RAM
G Skill Intl F3-1600C9-4GRSL 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FH 8GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GTRS 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Crucial Technology BLT8G4D32AET4K.M8FE1 8GB
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7MFR8N
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Crucial Technology BL8G24C16U4B.8FD 8GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Corsair CMK8GX4M1D3000C16 8GB
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Kingston KHX2666C15/8G 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
AMD R744G2606U1S 4GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Wilk Elektronik S.A. GR2666S464L19S/8G 8GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
G Skill Intl F4-2400C15-16GFXR 16GB
Kingmax Semiconductor FSFF65F-C8KL9 4GB
Corsair CMK32GX4M4A2133C15 8GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZR 8GB
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
Kingston HP37D4U1S8ME-16XR 16GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Micron Technology 16GB 2133MHz DIMM 16GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZKW 16GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD8213.M16FA 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link