RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTZNC 16GB
Porównaj
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB vs G Skill Intl F4-3600C16-16GTZNC 16GB
Wynik ogólny
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3600C16-16GTZNC 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3600C16-16GTZNC 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
27
48
Wokół strony -78% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
19.4
8.9
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
16.9
5.9
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
10600
Wokół strony 1.6 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTZNC 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
48
27
Prędkość odczytu, GB/s
8.9
19.4
Prędkość zapisu, GB/s
5.9
16.9
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
17000
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1420
3929
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB Porównanie pamięci RAM
G Skill Intl F3-1600C9-4GRSL 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FH 8GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTZNC 16GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.C16FN 16GB
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
Corsair CMK4GX4M1D2400C14 4GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2400 16GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Corsair CMW128GX4M4D3600C18 32GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Crucial Technology BL16G30C15U4WL.M16FE 16GB
Kingston 99U5471-056.A00LF 8GB
Kingston 9905702-137.A00G 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Kingston 9965640-035.C00G 32GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GRK 8GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6JJR8N
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Wilk Elektronik S.A. IRX3200D464L16S/8G 8GB
AMD R538G1601U2S 8GB
Kingston KY7N41-MID 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-4000C14-8GTZR 8GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Wilk Elektronik S.A. GY2133D464L15S/4G 4GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Kingston 99U5734-014.A00G 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link