RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTZNC 16GB
Porównaj
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB vs G Skill Intl F4-3600C16-16GTZNC 16GB
Wynik ogólny
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3600C16-16GTZNC 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3600C16-16GTZNC 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
27
48
Wokół strony -78% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
19.4
8.9
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
16.9
5.9
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
10600
Wokół strony 1.6 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTZNC 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
48
27
Prędkość odczytu, GB/s
8.9
19.4
Prędkość zapisu, GB/s
5.9
16.9
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
17000
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1420
3929
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB Porównanie pamięci RAM
G Skill Intl F3-1600C9-4GRSL 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FH 8GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTZNC 16GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSC.M8FADG 4GB
Kingston HP698651-154-MCN 8GB
Kingston 9905711-007.A00G 4GB
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
A-DATA Technology DDR4 3200 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
ISD Technology Limited 8GBF1X08QFHH38-135-K 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZSW 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Kingston KYXC0V-MIB 16GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
G Skill Intl F4-2800C15-8GVRB 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Kingston 99U5315-035.A00LF 1GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
G Skill Intl F4-3333C16-4GRKD 4GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Kllisre 99P54280002.A00LF 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Kingston 9905598-025.A00G 8GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
DSL Memory D4SS1G081SH24A-A 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Crucial Technology CT204864BF160B.C16 16GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Kllisre M471A1K43CB1-CTD 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link