RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXW 8GB
Porównaj
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB vs G Skill Intl F4-3600C19-8GSXW 8GB
Wynik ogólny
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXW 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXW 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
18
48
Wokół strony -167% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
20.5
8.9
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
16.3
5.9
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
10600
Wokół strony 1.6 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXW 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
48
18
Prędkość odczytu, GB/s
8.9
20.5
Prędkość zapisu, GB/s
5.9
16.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
17000
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1420
3575
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB Porównanie pamięci RAM
G Skill Intl F3-1600C9-4GRSL 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FH 8GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXW 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXW 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston 9905630-039.A00G 16GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
G Skill Intl F4-4000C18-32GTRS 32GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSB.16FBD2 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Kingston 9905711-002.A00G 4GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
SK Hynix HMA41GR7AFR8N-TF 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Corsair CMSO4GX4M1A2133C15 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4SF32GB2G82G83200 32GB
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GR7MFR4N
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Corsair CMD8GX4M2B4000C19 4GB
AMD AE34G2139U2 4GB
Crucial Technology CT16G4DFRA32A.M16FJ1 16GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Samsung M471A1G44BB0-CWE 8GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7AFR8N
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZSW 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link