RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Gloway International (HK) STK4U2133D15081C 8GB
Porównaj
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB vs Gloway International (HK) STK4U2133D15081C 8GB
Wynik ogólny
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Wynik ogólny
Gloway International (HK) STK4U2133D15081C 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Gloway International (HK) STK4U2133D15081C 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
22
48
Wokół strony -118% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.8
8.9
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.3
5.9
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
10600
Wokół strony 1.6 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Gloway International (HK) STK4U2133D15081C 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
48
22
Prędkość odczytu, GB/s
8.9
16.8
Prędkość zapisu, GB/s
5.9
12.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
17000
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1420
3036
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB Porównanie pamięci RAM
G Skill Intl F3-1600C9-4GRSL 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FH 8GB
Gloway International (HK) STK4U2133D15081C 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Kllisre M378A1K43BB2-CRC 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology CT16G4DFRA32A.M16FJ1 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Golden Empire CL15-15-15 D4-3000 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Crucial Technology CB8GS2400.C8ET 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology CT8G4DFRA32A.C4FE 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSBK.8FBR 8GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Apacer Technology 78.D2GG7.AU30B 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston KHX3733C19D4/16GX 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Smart Modular SF4641G8CK8IWGKSEG 8GB
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZKO 16GB
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTRS 16GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Apacer Technology 78.D2GG7.AU30B 16GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GSXKB 16GB
G Skill Intl F4-4266C19-8GTRS 8GB
Crucial Technology CT51264BA160B.C16F 4GB
Apacer Technology 78.C2GFA.AF30B 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link