RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-3000D 16GB
Porównaj
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB vs Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-3000D 16GB
Wynik ogólny
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Wynik ogólny
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-3000D 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-3000D 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
27
48
Wokół strony -78% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
18.3
8.9
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
15.8
5.9
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
10600
Wokół strony 1.81 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-3000D 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
48
27
Prędkość odczytu, GB/s
8.9
18.3
Prędkość zapisu, GB/s
5.9
15.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
19200
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1420
3899
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB Porównanie pamięci RAM
G Skill Intl F3-1600C9-4GRSL 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FH 8GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-3000D 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston 99U5474-037.A00LF 4GB
Kingston ACR32D4S2S1ME-8 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
AMD R744G2400U1S-UO 4GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB
Crucial Technology CT102464BA1339.M16 8GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-3733 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Apacer Technology D12.2344DT.001 4GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-3G2E1 16GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.M8FBD 4GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4400 C18 Series 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD8213.M16FB 16GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-3000D 16GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Panram International Corporation W4N2666PS-8G 8GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
SK Hynix HMA81GR7AFR8N-UH 8GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Smart Modular SMS4WEC8C2K0446FCG 16GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Smart Modular SMS4TDC8C1K0446FCG 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link