RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E86-3200D 16GB
Porównaj
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB vs Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E86-3200D 16GB
Wynik ogólny
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Wynik ogólny
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E86-3200D 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E86-3200D 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
26
48
Wokół strony -85% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
18.7
8.9
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
16.8
5.9
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
10600
Wokół strony 1.81 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E86-3200D 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
48
26
Prędkość odczytu, GB/s
8.9
18.7
Prędkość zapisu, GB/s
5.9
16.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
19200
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1420
3937
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB Porównanie pamięci RAM
G Skill Intl F3-1600C9-4GRSL 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FH 8GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E86-3200D 16GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
Apacer Technology GD2.1527WT.001 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Essencore Limited IM4AGU88N26-GIIHA0 16GB
Kingston 99U5474-023.A00LF 4GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-3G2E1 8GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Kingston 9965596-031.B00G 8GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FADG 4GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
SK Hynix HMA81GS6DJR8N-XN 8GB
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Neo Forza NMUD416E82-3600 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FB 8GB
Kingston 9905403-437.A01LF 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GVRB 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U6AFR8N
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Corsair CM4X4GF3000C15K4 4GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Kingmax Semiconductor GZOH23F-18---------- 16GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Kingston KHX3600C17D4/16GX 16GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
A-DATA Technology AO1P26KC8T1-BPXS 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link