RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Hyundai Inc GP-GR26C16S8K1HU408 8GB
Porównaj
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB vs Hyundai Inc GP-GR26C16S8K1HU408 8GB
Wynik ogólny
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Wynik ogólny
Hyundai Inc GP-GR26C16S8K1HU408 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
48
75
Wokół strony 36% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Hyundai Inc GP-GR26C16S8K1HU408 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
14.3
8.9
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
6.3
5.9
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
10600
Wokół strony 2.01 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Hyundai Inc GP-GR26C16S8K1HU408 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
48
75
Prędkość odczytu, GB/s
8.9
14.3
Prędkość zapisu, GB/s
5.9
6.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
21300
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1420
1548
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB Porównanie pamięci RAM
G Skill Intl F3-1600C9-4GRSL 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FH 8GB
Hyundai Inc GP-GR26C16S8K1HU408 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Corsair CM4X8GD3200C16K2E 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZKO 16GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Hyundai Inc GP-GR26C16S8K1HU408 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Corsair CMWX8GD3600C18W4 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Corsair CMK16GX4M2D3600C18 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Apacer Technology 78.DAGQ7.40B0B 16GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Kingston KHX3200C20S4/16G 16GB
Kingston HX316C10F/8 8GB
Apacer Technology 78.CAGPN.DF40B 8GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Corsair CMSX16GX4M2A3200C22 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Corsair CM4X4GF2400Z16K4 4GB
Kingston HP16D3LS1KBGH/4G 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.C8FD1 8GB
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
Corsair CMWX16GC3200C16W4 16GB
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
SK Hynix HMA84GR7AFR4N-UH 32GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link