RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Kingston 9965589-008.D01G 8GB
Porównaj
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB vs Kingston 9965589-008.D01G 8GB
Wynik ogólny
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Wynik ogólny
Kingston 9965589-008.D01G 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Kingston 9965589-008.D01G 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
36
48
Wokół strony -33% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
10
8.9
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
7.5
5.9
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
10600
Wokół strony 1.6 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Kingston 9965589-008.D01G 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
48
36
Prędkość odczytu, GB/s
8.9
10.0
Prędkość zapisu, GB/s
5.9
7.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
17000
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1420
2037
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB Porównanie pamięci RAM
G Skill Intl F3-1600C9-4GRSL 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FH 8GB
Kingston 9965589-008.D01G 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology CT2K102464BD160B 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Corsair CML8GX3M2A1866C9 4GB
AMD R748G2400U2S 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Kingston 9905711-035.A00G 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FAD1 8GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GIS 8GB
SK Hynix HMT31GR7BFR4C-H9 8GB
SK Hynix HMA425S6AFR6N-UH 2GB
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GTZN 16GB
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
Kingston KHX3200C20S4/16GX 16GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GFX 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Essencore Limited IM44GU48N26-FFFHM 4GB
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB
Essencore Limited KD48GU880-32A160T 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
G Skill Intl F4-2666C18-4GRS 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Crucial Technology 16G4UD2400.C16BD1 16GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G3B1 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link