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Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Kingston 9965589-008.D01G 8GB
比较
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB vs Kingston 9965589-008.D01G 8GB
总分
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
总分
Kingston 9965589-008.D01G 8GB
差异
规格
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差异
需要考虑的原因
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
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需要考虑的原因
Kingston 9965589-008.D01G 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
36
48
左右 -33% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
10
8.9
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
7.5
5.9
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
10600
左右 1.6 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Kingston 9965589-008.D01G 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
48
36
读取速度,GB/s
8.9
10.0
写入速度,GB/s
5.9
7.5
内存带宽,mbps
10600
17000
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
1420
2037
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB RAM的比较
G Skill Intl F3-1600C9-4GRSL 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FH 8GB
Kingston 9965589-008.D01G 8GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology CT2K102464BD160B 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9905469-153.A00LF 4GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-3000 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GNT 8GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Corsair CMK16GX4M1C3000C16 16GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
SK Hynix HMA82GU6DJR8N-XN 16GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Smart Modular SF464128CK8I6GKSEG 4GB
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
EVGA 16G-D4-2666-MR 4GB
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Kingston HP24D4U7S1MBP-4 4GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE800UD102408-2666 8GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Essencore Limited IM4AGU88N24-FFFHA0 16GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2133 CL15 4GB 4GB
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