RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Kingston 9965604-008.D00G 16GB
Porównaj
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB vs Kingston 9965604-008.D00G 16GB
Wynik ogólny
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Wynik ogólny
Kingston 9965604-008.D00G 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Kingston 9965604-008.D00G 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
34
48
Wokół strony -41% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
10.7
8.9
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
7.2
5.9
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
10600
Wokół strony 1.81 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Kingston 9965604-008.D00G 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
48
34
Prędkość odczytu, GB/s
8.9
10.7
Prędkość zapisu, GB/s
5.9
7.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
19200
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1420
2220
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB Porównanie pamięci RAM
G Skill Intl F3-1600C9-4GRSL 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FH 8GB
Kingston 9965604-008.D00G 16GB Porównanie pamięci RAM
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Essencore Limited IM48GS88N26-JJJHA0 8GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Apacer Technology GD2.1831WS.002 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZR 16GB
Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB
G Skill Intl F4-4500C19-8GTZSWE 8GB
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
Panram International Corporation PUD43000C168G2NJR 8GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
G Skill Intl F4-2133C15-8GIS 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Crucial Technology BLS8G4S26BFSDK.8FBD 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Apacer Technology 78.C2GFK.AR20B 8GB
Strontium EVMT8G1600U86S 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G240081S 4GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Samsung M474A1G43EB1-CRC 8GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
G Skill Intl F4-2400C14-4GRK 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C
Kingston 9905678-110.A00G 8GB
A-DATA Technology 10242397 4GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0PS 4GB
Kingston KF552C40-16 16GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZRB 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link