RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Kingston 9965640-013.A01G 32GB
Porównaj
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB vs Kingston 9965640-013.A01G 32GB
Wynik ogólny
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Wynik ogólny
Kingston 9965640-013.A01G 32GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Kingston 9965640-013.A01G 32GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
34
48
Wokół strony -41% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
10.1
8.9
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
7.4
5.9
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
10600
Wokół strony 1.6 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Kingston 9965640-013.A01G 32GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
48
34
Prędkość odczytu, GB/s
8.9
10.1
Prędkość zapisu, GB/s
5.9
7.4
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
17000
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1420
2065
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB Porównanie pamięci RAM
G Skill Intl F3-1600C9-4GRSL 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FH 8GB
Kingston 9965640-013.A01G 32GB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
SK Hynix HMA81GU6JJR8N-VK 8GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GSXKB 16GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FE 8GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
SK Hynix HMA82GR7JJR8N-VK 16GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Kingston MSI24D4S7S8S8-8 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Kingston 9965640-013.A01G 32GB
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Avant Technology W6451U67J7240NB 4GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXWB 8GB
G Skill Intl F4-2666C18-8GRS 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston KHX2400C14S4/16G 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston KYXC0V-MIB 16GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G1A1 32GB
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R017D408GX2-3600C18A 8GB
TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FADP 8GB
Crucial Technology ST51264BA1339.16FK 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351U6CFR8C
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
V-Color Technology Inc. TL48G30S8KGRGB15 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link