RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Kingston 9965640-013.A01G 32GB
Porównaj
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB vs Kingston 9965640-013.A01G 32GB
Wynik ogólny
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Wynik ogólny
Kingston 9965640-013.A01G 32GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Kingston 9965640-013.A01G 32GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
34
48
Wokół strony -41% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
10.1
8.9
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
7.4
5.9
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
10600
Wokół strony 1.6 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Kingston 9965640-013.A01G 32GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
48
34
Prędkość odczytu, GB/s
8.9
10.1
Prędkość zapisu, GB/s
5.9
7.4
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
17000
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1420
2065
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB Porównanie pamięci RAM
G Skill Intl F3-1600C9-4GRSL 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FH 8GB
Kingston 9965640-013.A01G 32GB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Kingston 9965640-013.A01G 32GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Samsung M474A4G43MB1-CTD 32GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Corsair CMK64GX4M8X3600C18 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Corsair CMD128GX4M8A2400C14 16GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTZRC 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Corsair CMK8GX4M2B4200C19 4GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G6H1 32GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
ISD Technology Limited KD48GU880-32A160X 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSBK.8FBD 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-4400C16-8GTZR 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Galaxy Microsystems Ltd. GALAX GOC 2016 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Corsair CMK32GX4M4Z3200C16 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
G Skill Intl F4-2400C17-16GSXF 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link