RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FADP 4GB
Porównaj
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB vs Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FADP 4GB
Wynik ogólny
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Wynik ogólny
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FADP 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FADP 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
32
47
Wokół strony -47% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
14.5
9.3
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
10.8
5.9
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
10600
Wokół strony 1.6 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FADP 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
47
32
Prędkość odczytu, GB/s
9.3
14.5
Prędkość zapisu, GB/s
5.9
10.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
17000
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1413
2399
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB Porównanie pamięci RAM
Kingston TSB16D3LS1KBG/4G 4GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.M16FRS 16GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FADP 4GB Porównanie pamięci RAM
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M4 70T5663QZ3-CF7 2GB
G Skill Intl F4-4600C18-8GTZR 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G16002 8GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZRB 8GB
Kingston KF552C40-16 16GB
A-DATA Technology AO2P26KC8T1-BPYS 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Corsair CMK8GX4M2B4266C19 4GB
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
Crucial Technology BLM8G40C18U4BL.M8FE1 8GB
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
Corsair CMWX8GD3200C16W4 8GB
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
Shenzhen Micro Innovation Industry PSD41626D19P1 16GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-V-V 16GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GNT 4GB
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
A Force Manufacturing Ltd. UD-01G64V2133P 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTRG 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
G Skill Intl F4-4000C15-8GTRS 8GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
V-Color Technology Inc. TN48G26S819-SB 8GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
JUHOR JHD2666U1908JG 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link