RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Galaxy Microsystems Ltd. GALAX OC LAB 8GB
Porównaj
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB vs Galaxy Microsystems Ltd. GALAX OC LAB 8GB
Wynik ogólny
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Wynik ogólny
Galaxy Microsystems Ltd. GALAX OC LAB 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Galaxy Microsystems Ltd. GALAX OC LAB 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
20
47
Wokół strony -135% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
19.7
9.3
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
15.2
5.9
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
10600
Wokół strony 1.6 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Galaxy Microsystems Ltd. GALAX OC LAB 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
47
20
Prędkość odczytu, GB/s
9.3
19.7
Prędkość zapisu, GB/s
5.9
15.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
17000
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1413
3473
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB Porównanie pamięci RAM
Kingston TSB16D3LS1KBG/4G 4GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.M16FRS 16GB
Galaxy Microsystems Ltd. GALAX OC LAB 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
SK Hynix HMT451U7BFR8C-RD 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVGB 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G213381S 8GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G3A1 8GB
Kingston 9965516-430.A00G 16GB
G Skill Intl F4-4400C19-32GTRS 32GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Samsung M471A2K43BB1-CTD 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSB.16FBR 16GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Crucial Technology BL16G26C16U4B.16FD 16GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Crucial Technology BL16G26C16U4R.16FE 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology CT4G4SFS824A.C8FBR2 4GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G6E1 8GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Mushkin MES4S213FF16G28 16GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.K8FB 8GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Thermaltake Technology Co Ltd R022D408GX2-4600C19A 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
G Skill Intl F4-2666C19-8GRS 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link