RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Galaxy Microsystems Ltd. GALAX OC LAB 8GB
Porównaj
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB vs Galaxy Microsystems Ltd. GALAX OC LAB 8GB
Wynik ogólny
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Wynik ogólny
Galaxy Microsystems Ltd. GALAX OC LAB 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Galaxy Microsystems Ltd. GALAX OC LAB 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
20
47
Wokół strony -135% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
19.7
9.3
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
15.2
5.9
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
10600
Wokół strony 1.6 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Galaxy Microsystems Ltd. GALAX OC LAB 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
47
20
Prędkość odczytu, GB/s
9.3
19.7
Prędkość zapisu, GB/s
5.9
15.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
17000
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1413
3473
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB Porównanie pamięci RAM
Kingston TSB16D3LS1KBG/4G 4GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.M16FRS 16GB
Galaxy Microsystems Ltd. GALAX OC LAB 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
Corsair CM4B8G1L2666A18S4 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Kingston KY7N41-MID 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G4AT 16GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Kingston 9965662-002.A01G 16GB
Micron Technology 18JSF1G72PZ-1G6D1 8GB
Kingston 99U5678-029.A00G 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3A1 16GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Corsair CMK8GX4M2B3733C17 4GB
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.8FBD 4GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Micron Technology 72ASS4G72LZ-2G1A1 32GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3000 C15 Series 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
G Skill Intl F4-3600C18-32GTRG 32GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E2 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
SK Hynix V-GeN D4H4GL30A8TX5 4GB
AMD AE34G2139U2 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMSO432F82-3200E 32GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link