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Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Galaxy Microsystems Ltd. GALAX OC LAB 8GB
比较
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB vs Galaxy Microsystems Ltd. GALAX OC LAB 8GB
总分
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
总分
Galaxy Microsystems Ltd. GALAX OC LAB 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
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需要考虑的原因
Galaxy Microsystems Ltd. GALAX OC LAB 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
20
47
左右 -135% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
19.7
9.3
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
15.2
5.9
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
10600
左右 1.6 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Galaxy Microsystems Ltd. GALAX OC LAB 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
47
20
读取速度,GB/s
9.3
19.7
写入速度,GB/s
5.9
15.2
内存带宽,mbps
10600
17000
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
1413
3473
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB RAM的比较
Kingston TSB16D3LS1KBG/4G 4GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.M16FRS 16GB
Galaxy Microsystems Ltd. GALAX OC LAB 8GB RAM的比较
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-3200C14-8GFX 8GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Essencore Limited 8GBF1X08QFHH38-135-K 8GB
Corsair VS1GB800D2 1GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E86-3200 8GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48MH-26V 16GB
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
Samsung M393A2K43CB1-CRC 16GB
A-DATA Technology DDR4 2400 16GB
G Skill Intl F4-4400C19-16GTZR 16GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6J1 16GB
Kingston KF552C40-16 16GB
G Skill Intl F4-4000C19-4GTZ 4GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Smart Modular SF4722G4CKHH6DFSDS 16GB
Corsair CM3X2G1600C9DHX 2GB
Micron Technology AFLD48VH1P 8GB
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