RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
ja
Русский Русский English English Español Español Português Português Deutsch Deutsch Français Français Italiano Italiano Polski Polski 中文 中文 日本語 日本語
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Galaxy Microsystems Ltd. GALAX OC LAB 8GB

Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB vs Galaxy Microsystems Ltd. GALAX OC LAB 8GB

総合得点
star star star star star
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB

Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB

総合得点
star star star star star
Galaxy Microsystems Ltd. GALAX OC LAB 8GB

Galaxy Microsystems Ltd. GALAX OC LAB 8GB

相違点 仕様 コメント

相違点

Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB 考慮すべき理由
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
バグを報告する
Galaxy Microsystems Ltd. GALAX OC LAB 8GB 考慮すべき理由
Galaxy Microsystems Ltd. GALAX OC LAB 8GB
バグを報告する
  • PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
    20 left arrow 47
    周辺 -135% 低遅延
  • 読み出し速度の高速化、GB/s
    19.7 left arrow 9.3
    テスト平均値
  • 書き込み速度の高速化、GB/s
    15.2 left arrow 5.9
    テスト平均値
  • より高いメモリ帯域幅、mbps
    17000 left arrow 10600
    周辺 1.6 高帯域

仕様

技術仕様の完全リスト
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Galaxy Microsystems Ltd. GALAX OC LAB 8GB
主な特徴
  • メモリータイプ
    DDR3 left arrow DDR4
  • PassMarkにおけるレイテンシー、ns
    47 left arrow 20
  • 読み出し速度、GB/s
    9.3 left arrow 19.7
  • 書き込み速度、GB/秒
    5.9 left arrow 15.2
  • メモリ帯域幅、mbps
    10600 left arrow 17000
Other
  • 商品説明
    PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 left arrow PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
  • タイミング / クロック速度
    7-7-7-20 / 1333 MHz left arrow 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
  • ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）
    1413 left arrow 3473

Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB RAMの比較

Kingston TSB16D3LS1KBG/4G 4GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.M16FRS 16GB

Galaxy Microsystems Ltd. GALAX OC LAB 8GB RAMの比較

Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

最新の比較

Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Mushkin MRA4S320GJJM16G 16GB
Mushkin MRA4S320GJJM16G 16GB
メモリRAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMD16GX4M4B3400C16 4GB
Corsair CMD16GX4M4B3400C16 4GB
メモリRAM
Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB
Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GISM 8GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GISM 8GB
メモリRAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Mushkin MR[ABC]4U320GJJM8G 8GB
Mushkin MR[ABC]4U320GJJM8G 8GB
メモリRAM
SK Hynix HMT41GU7BFR8C-RD 8GB
SK Hynix HMT41GU7BFR8C-RD 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTRS 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTRS 8GB
メモリRAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Samsung M471A2K43CB1-CTCT 16GB
Samsung M471A2K43CB1-CTCT 16GB
メモリRAM
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
G Skill Intl F4-2400C17-4GVR 4GB
G Skill Intl F4-2400C17-4GVR 4GB
メモリRAM
A-DATA Technology AX5U6000C4016G-B 16GB
A-DATA Technology AX5U6000C4016G-B 16GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-3G2J1 16GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-3G2J1 16GB
メモリRAM
Kingston 99U5471-056.A00LF 8GB
Kingston 99U5471-056.A00LF 8GB
A-DATA Technology AM1P26KC4U1-BACS 4GB
A-DATA Technology AM1P26KC4U1-BACS 4GB
メモリRAM
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17081C 8GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17081C 8GB
メモリRAM
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
Shenzhen Micro Innovation Industry KF3200DDCD4 16GB
Shenzhen Micro Innovation Industry KF3200DDCD4 16GB
メモリRAM
Ramaxel Technology RMSA3270MB86H9F2400 4GB
Ramaxel Technology RMSA3270MB86H9F2400 4GB
AMD R744G2400U1S 4GB
AMD R744G2400U1S 4GB
メモリRAM
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.M8FB 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.M8FB 4GB
メモリRAM
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Gloway International (HK) STKD4GAM2133-F 8GB
Gloway International (HK) STKD4GAM2133-F 8GB
メモリRAM