Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB

Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB

Wynik ogólny
star star star star star
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB

Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB

Wynik ogólny
star star star star star
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB

Różnice

  • Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
    24 left arrow 47
    Wokół strony -96% niższe opóźnienia
  • Większa szybkość odczytu, GB/s
    16 left arrow 9.3
    Średnia wartość w badaniach
  • Większa szybkość zapisu, GB/s
    12.5 left arrow 5.9
    Średnia wartość w badaniach
  • Wyższa przepustowość pamięci, mbps
    19200 left arrow 10600
    Wokół strony 1.81 większa szerokość pasma

Specyfikacje

Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Główna charakterystyka
  • Typ pamięci
    DDR3 left arrow DDR4
  • Opóźnienie w PassMark, ns
    47 left arrow 24
  • Prędkość odczytu, GB/s
    9.3 left arrow 16.0
  • Prędkość zapisu, GB/s
    5.9 left arrow 12.5
  • Szerokość pasma pamięci, mbps
    10600 left arrow 19200
Other
  • Opis
    PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 left arrow PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
  • Taktowanie / szybkość zegara
    7-7-7-20 / 1333 MHz left arrow 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
  • Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
    1413 left arrow 2925
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

Najnowsze porównania