RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
G Skill Intl F4-4000C17-8GTZRB 8GB
Porównaj
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB vs G Skill Intl F4-4000C17-8GTZRB 8GB
Wynik ogólny
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-4000C17-8GTZRB 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
21
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,622.0
19.4
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-4000C17-8GTZRB 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
25
77
Wokół strony -208% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
5300
Wokół strony 3.21 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
G Skill Intl F4-4000C17-8GTZRB 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
77
25
Prędkość odczytu, GB/s
3,405.2
21.0
Prędkość zapisu, GB/s
2,622.0
19.4
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
17000
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
763
4129
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB Porównanie pamięci RAM
takeMS International AG TMS2GB264D082805EQ 2GB
Southland Microsystems 40002105-01 2GB
G Skill Intl F4-4000C17-8GTZRB 8GB Porównanie pamięci RAM
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd RA24D408GX2-4400C19A 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Eudar Technology Inc. 8GXMP3000CL16 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS8G4S26BFSD.16FD2 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
G Skill Intl F4-4000C17-8GTZRB 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G1B1 16GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSEK.8FD 8GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Kingston 9965640-006.A01G 32GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FD1 16GB
Kllisre KRE-D3U1600M/8G 8GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C16FJ 16GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Kingston 9905702-137.A00G 8GB
Kingston 9965516-430.A00G 16GB
Kingston HP26D4U9S8ME-8 8GB
Nanya Technology NT1GT64U88D0BY-AD 1GB
SK Hynix HMA41GR7AFR4N-UH 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Corsair CMK16GX4M2B3333C16 8GB
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB
Corsair CMWB8G1L3200K16W4 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link