RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4S816GB2G82G83200 16GB
Porównaj
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB vs OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4S816GB2G82G83200 16GB
Wynik ogólny
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Wynik ogólny
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4S816GB2G82G83200 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4S816GB2G82G83200 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
27
47
Wokół strony -74% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
17.4
9.3
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
14.5
5.9
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
10600
Wokół strony 2.42 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4S816GB2G82G83200 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
47
27
Prędkość odczytu, GB/s
9.3
17.4
Prędkość zapisu, GB/s
5.9
14.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
25600
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1413
3692
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB Porównanie pamięci RAM
Kingston TSB16D3LS1KBG/4G 4GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.M16FRS 16GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4S816GB2G82G83200 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Crucial Technology BLT8G4D30AETA.K16FE 8GB
Kingston KHX1866C10D3/4G 4GB
Apacer Technology 78.CAGR9.40C0B 8GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Crucial Technology CT16G4SFS832A.M8FE 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3866 C18 Series 8GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Corsair CMSX64GX4M4A2400C16 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZN 16GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Corsair CMK16GX4M2C3200C16 8GB
Kingston KF552C40-16 16GB
Kingston 9905702-121.A00G 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Mushkin 99[2/7/4]183 8GB
Apacer Technology 78.01GA0.9K5 1GB
Kingston KHX3466C17D4/16GX 16GB
Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB
Micron Technology 18ADF2G72AZ-2G3B1 16GB
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXF 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL15 8GB 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Netac Technology Co Ltd E40832A 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link