RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Team Group Inc. DDR4 2666 8GB
Porównaj
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB vs Team Group Inc. DDR4 2666 8GB
Wynik ogólny
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Wynik ogólny
Team Group Inc. DDR4 2666 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Team Group Inc. DDR4 2666 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
28
47
Wokół strony -68% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
13
9.3
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
10.4
5.9
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
10600
Wokół strony 1.6 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Team Group Inc. DDR4 2666 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
47
28
Prędkość odczytu, GB/s
9.3
13.0
Prędkość zapisu, GB/s
5.9
10.4
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
17000
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1413
2757
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB Porównanie pamięci RAM
Kingston TSB16D3LS1KBG/4G 4GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.M16FRS 16GB
Team Group Inc. DDR4 2666 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Team Group Inc. DDR4 2666 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMW32GX4M4K4266C19 8GB
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
Corsair CMK16GX4M2D3200C16 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FH3 8GB
PNY Electronics 4GBH2X02E99927-16 4GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GTZR 16GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Corsair CM4X4GD3000C15K4 4GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GIS 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2666 C16 Series 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
V-Color Technology Inc. TL8G36818D-E6PRWWK 8GB
Samsung M471A2K43CB1-CRCR 16GB
Crucial Technology CT16G4SFD832A.C16FJ 16GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G1A1 8GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FA 8GB
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Crucial Technology CT4G4SFS8266.M8FE 4GB
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Kingston 9905625-098.A00G 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link