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Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Team Group Inc. DDR4 2666 8GB
Confronto
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB vs Team Group Inc. DDR4 2666 8GB
Punteggio complessivo
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Punteggio complessivo
Team Group Inc. DDR4 2666 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
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Differenze
Motivi da considerare
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
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Motivi da considerare
Team Group Inc. DDR4 2666 8GB
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Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
28
47
Intorno -68% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
13
9.3
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
10.4
5.9
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
10600
Intorno 1.6 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Team Group Inc. DDR4 2666 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
47
28
Velocità di lettura, GB/s
9.3
13.0
Velocità di scrittura, GB/s
5.9
10.4
Larghezza di banda della memoria, mbps
10600
17000
Other
Descrizione
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
1413
2757
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB Confronto tra le RAM
Kingston TSB16D3LS1KBG/4G 4GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.M16FRS 16GB
Team Group Inc. DDR4 2666 8GB Confronto tra le RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
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A-DATA Technology HY64C1C1624ZY 4GB
Micron Technology AFLD48VH1P 8GB
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4266 C18 Series 8GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTZRC 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C18 Series 32GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Transcend Information AQD-D4U4GN21-SG 4GB
ASint Technology SSZ302G08-GGNHC 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6CFR8C
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Micron Technology 18ADF2G72AZ-2G3B1 16GB
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