RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-3200 8GB
Porównaj
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB vs Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-3200 8GB
Wynik ogólny
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Wynik ogólny
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-3200 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-3200 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
30
47
Wokół strony -57% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
18.3
9.3
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
14.3
5.9
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
10600
Wokół strony 1.6 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-3200 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
47
30
Prędkość odczytu, GB/s
9.3
18.3
Prędkość zapisu, GB/s
5.9
14.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
17000
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1413
3491
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB Porównanie pamięci RAM
Kingston TSB16D3LS1KBG/4G 4GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.M16FRS 16GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-3200 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3A1 16GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Kingston KF3200C16D4/32GX 32GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
InnoDisk Corporation M4SI-8GS1NC0K-C 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FB 8GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Avant Technology J642GU42J7240N2 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
Apacer Technology 78.CAGQ7.ARC0B 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E1 4GB
Kingston 99U5428-063.A00LF 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS832A.C8FP 8GB
Kingston 9905403-174.A00LF 2GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E2 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Corsair CMK128GX4M8B3200C16 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3A1 16GB
Kingston KP223C-ELD 2GB
Samsung M471A5244BB0-CRC 4GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMV8GX4M1A2400C16 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link