RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Transcend Information JM2400HLB-8G 8GB
Porównaj
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB vs Transcend Information JM2400HLB-8G 8GB
Wynik ogólny
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Wynik ogólny
Transcend Information JM2400HLB-8G 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Transcend Information JM2400HLB-8G 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
28
47
Wokół strony -68% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.7
9.3
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.4
5.9
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
10600
Wokół strony 1.81 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Transcend Information JM2400HLB-8G 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
47
28
Prędkość odczytu, GB/s
9.3
16.7
Prędkość zapisu, GB/s
5.9
12.4
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
19200
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1413
3244
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB Porównanie pamięci RAM
Kingston TSB16D3LS1KBG/4G 4GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.M16FRS 16GB
Transcend Information JM2400HLB-8G 8GB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G9E1 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
G Skill Intl F4-3866C18-4GVK 4GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Corsair CMK32GX4M2A2666C16 16GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
AMD R744G2400U1S-UO 4GB
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
Nanya Technology M471A5143EB1-CRC 4GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Corsair CMG16GX4M2E3200C16 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
SK Hynix HMA82GR7AFR4N-VK 16GB
Kingston 99U5428-063.A00LF 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.M8FA 8GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
G Skill Intl F4-2133C15-16GRS 16GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-2400C15-16GFX 16GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G3B1 8GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Wilk Elektronik S.A. IRX3200D464L16S/8G 8GB
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-2666C15-8GRR 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Panram International Corporation W4U3200PS-16G 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link