RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS8213.M8FB 8GB
Porównaj
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB vs Crucial Technology CT8G4SFS8213.M8FB 8GB
Wynik ogólny
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Wynik ogólny
Crucial Technology CT8G4SFS8213.M8FB 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Crucial Technology CT8G4SFS8213.M8FB 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
34
41
Wokół strony -21% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
14
13.3
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
10.4
9.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
12800
Wokół strony 1.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS8213.M8FB 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
41
34
Prędkość odczytu, GB/s
13.3
14.0
Prędkość zapisu, GB/s
9.0
10.4
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
17000
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 17 18 19
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2016
2616
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB Porównanie pamięci RAM
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Nanya Technology NT2GC64B8HC0NS-CG 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS8213.M8FB 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Kingston 99U5678-029.A00G 8GB
Kingston 9905471-071.A00LF 8GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1A2 16GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Kingston 99U5624-001.A00G 8GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
G Skill Intl F4-3466C16-16GTZSW 16GB
Kingston 99U5471-056.A00LF 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS832A.M8FR 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Transcend Information JM2400HSB-8G 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.M8FE 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston X75V1H-MIE 32GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL15 8GB 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
G Skill Intl F4-4266C19-8GTZR 8GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G1B1 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
A-DATA Technology DDR4 3200 2OZ 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAD11 4GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFST.16FD 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link