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Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS8213.M8FB 8GB
比较
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB vs Crucial Technology CT8G4SFS8213.M8FB 8GB
总分
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
总分
Crucial Technology CT8G4SFS8213.M8FB 8GB
差异
规格
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差异
需要考虑的原因
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
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需要考虑的原因
Crucial Technology CT8G4SFS8213.M8FB 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
34
41
左右 -21% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
14
13.3
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
10.4
9.0
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
12800
左右 1.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS8213.M8FB 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
41
34
读取速度,GB/s
13.3
14.0
写入速度,GB/s
9.0
10.4
内存带宽,mbps
12800
17000
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 17 18 19
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2016
2616
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
Corsair CMRX8GD3000C16R4D 8GB
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Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E82-3200E 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Thermaltake Technology Co Ltd R022D408GX2-4600C19A 8GB
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Samsung M471A4G43BB1-CWE 32GB
Mushkin 991586 2GB
Crucial Technology BL16G32C16U4B.M16FE1 16GB
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
Apacer Technology 78.C2GFL.C720B 8GB
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