RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GRRB 8GB
Porównaj
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB vs G Skill Intl F4-3000C15-8GRRB 8GB
Wynik ogólny
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3000C15-8GRRB 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3000C15-8GRRB 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
23
41
Wokół strony -78% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
17.7
13.3
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.5
9.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
12800
Wokół strony 1.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GRRB 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
41
23
Prędkość odczytu, GB/s
13.3
17.7
Prędkość zapisu, GB/s
9.0
13.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
17000
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2016
3115
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB Porównanie pamięci RAM
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Nanya Technology NT2GC64B8HC0NS-CG 2GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GRRB 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Ramaxel Technology RMSA3260MD78HAF-2666 8GB
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GRRB 8GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Samsung M378A2G43BB3-CWE 16GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2400 C17 8GB
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
Apacer Technology 78.CAGP7.AZC0B 8GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Kingston 9932301-P01.A00G 4GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Corsair CMK16GX4M2D3600C18 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U6MFR8N
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GNT 4GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Crucial Technology CB4GU2400.M8E 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Samsung M471A5143SB1-CRC 4GB
Samsung M471A1G44BB0-CWE 8GB
Corsair CMSX32GX4M2A3200C22 16GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Crucial Technology BLM8G40C18U4B.M8FE1 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.M8FH 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link