RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Crucial Technology BLM8G40C18U4B.M8FE1 8GB
Porównaj
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB vs Crucial Technology BLM8G40C18U4B.M8FE1 8GB
Wynik ogólny
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Wynik ogólny
Crucial Technology BLM8G40C18U4B.M8FE1 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Crucial Technology BLM8G40C18U4B.M8FE1 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
26
71
Wokół strony -173% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
20.5
2
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
16.2
1,322.6
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
5300
Wokół strony 4.02 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Crucial Technology BLM8G40C18U4B.M8FE1 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
71
26
Prędkość odczytu, GB/s
2,831.6
20.5
Prędkość zapisu, GB/s
1,322.6
16.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
21300
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
399
3687
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP564U64EP8-S5 512MB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZSK 16GB
Crucial Technology BLM8G40C18U4B.M8FE1 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Crucial Technology BLM8G40C18U4B.M8FE1 8GB
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
Kingston KF3200C20S4/16GX 16GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
G Skill Intl F4-2400C16-8GRSB 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
G Skill Intl F4-4266C17-8GTZRB 8GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
G Skill Intl F4-4000C18-16GTRS 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Corsair CMD64GX4M4A2400C14 16GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMSO480E82-3200E 8GB
Apacer Technology 78.A1GC6.9H10C 2GB
Golden Empire CL16-16-16 D4-3200 4GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Asgard VMA44UI-MEC1U2AW2 32GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Super Talent F26UB16GH 16GB
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
Kingston 9905702-010.A00G 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.D16F 4GB
Cortus SAS 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Crucial Technology CT16G4SFD8213.M16FB 16GB
Kingston ACR16D3LS1KNG/4G 4GB
Crucial Technology BLS16G4S26BFSD.16FD 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link