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Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Crucial Technology BLM8G40C18U4B.M8FE1 8GB
Confronto
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB vs Crucial Technology BLM8G40C18U4B.M8FE1 8GB
Punteggio complessivo
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Punteggio complessivo
Crucial Technology BLM8G40C18U4B.M8FE1 8GB
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Motivi da considerare
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
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Motivi da considerare
Crucial Technology BLM8G40C18U4B.M8FE1 8GB
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Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
26
71
Intorno -173% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
20.5
2
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
16.2
1,322.6
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
21300
5300
Intorno 4.02 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Crucial Technology BLM8G40C18U4B.M8FE1 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
71
26
Velocità di lettura, GB/s
2,831.6
20.5
Velocità di scrittura, GB/s
1,322.6
16.2
Larghezza di banda della memoria, mbps
5300
21300
Other
Descrizione
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Temporizzazioni / Velocità di clock
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
399
3687
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB Confronto tra le RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP564U64EP8-S5 512MB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZSK 16GB
Crucial Technology BLM8G40C18U4B.M8FE1 8GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-3600C17-16GTZ 16GB
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
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