RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Crucial Technology BLM8G40C18U4B.M8FE1 8GB
Сравнить
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB против Crucial Technology BLM8G40C18U4B.M8FE1 8GB
-->
Средняя оценка
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Средняя оценка
Crucial Technology BLM8G40C18U4B.M8FE1 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Crucial Technology BLM8G40C18U4B.M8FE1 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
26
71
Около -173% меньшая задержка
Выше скорость чтения
20.5
2
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
16.2
1,322.6
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
5300
Около 4.02 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Crucial Technology BLM8G40C18U4B.M8FE1 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
71
26
Скорость чтения, Гб/сек
2,831.6
20.5
Скорость записи, Гб/сек
1,322.6
16.2
Пропускная способность памяти, мбит/сек
5300
21300
Other
Описание
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
399
3687
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB Сравнения RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP564U64EP8-S5 512MB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZSK 16GB
Crucial Technology BLM8G40C18U4B.M8FE1 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GISB 8GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Crucial Technology BLM8G40C18U4B.M8FE1 8GB
Kingston 9905471-006.A00LF 4GB
Kingston KHX2800C14D4/4GX 4GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G4M1 4GB
Crucial Technology CT51264BC1339.M16F 4GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Micron Technology 36ADS2G72PZ-2G1A1 16GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Crucial Technology BLS16G4S240FSD.16FAD 16GB
Kingston 99U5471-012.A00LF 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.C8FB 4GB
Samsung M471A2K43DB1-CWE 16GB
Kingston 9905783-025.A01G 16GB
Kingston KN2M64-ETB 8GB
G Skill Intl F4-4000C19-8GTZSW 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
G Skill Intl F4-2400C15-16GTZR 16GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Corsair CMK16GX4M2C3600C20 8GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Corsair CMU32GX4M2D3200C16 16GB
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GISB 8GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
V-Color Technology Inc. TL48G32S8KGRGB16 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link