RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-3G2B2 32GB
Porównaj
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB vs Micron Technology 16ATF4G64HZ-3G2B2 32GB
Wynik ogólny
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Wynik ogólny
Micron Technology 16ATF4G64HZ-3G2B2 32GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Micron Technology 16ATF4G64HZ-3G2B2 32GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
32
41
Wokół strony -28% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
15.7
13.3
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.7
9.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
12800
Wokół strony 2 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-3G2B2 32GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
41
32
Prędkość odczytu, GB/s
13.3
15.7
Prędkość zapisu, GB/s
9.0
13.7
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
25600
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 26 28
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2016
3322
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB Porównanie pamięci RAM
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Nanya Technology NT2GC64B8HC0NS-CG 2GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-3G2B2 32GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZSW 8GB
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
G Skill Intl F4-4600C18-8GTRS 8GB
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-3G2B2 32GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Corsair CMW16GX4M2C3600C18 8GB
Crucial Technology CT51264BF160B.M16F 4GB
A-DATA Technology DDR4 2800 2OZ 4GB
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-3G2E1 16GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
Kingston 9905700-025.A00G 8GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Corsair CMW32GX4M4Z3200C16 8GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
G Skill Intl F4-3400C16-16GVR 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1A2 16GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZRN 8GB
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
Kingston KHX2933C15D4/8GX 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GVS 8GB
Kingston 39P5429-006.AO01 2GB
Kingston XF875V-HYA 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link