RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-3G2B2 32GB
Сравнить
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB против Micron Technology 16ATF4G64HZ-3G2B2 32GB
-->
Средняя оценка
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Средняя оценка
Micron Technology 16ATF4G64HZ-3G2B2 32GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Micron Technology 16ATF4G64HZ-3G2B2 32GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
32
41
Около -28% меньшая задержка
Выше скорость чтения
15.7
13.3
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
13.7
9.0
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
25600
12800
Около 2 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-3G2B2 32GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
41
32
Скорость чтения, Гб/сек
13.3
15.7
Скорость записи, Гб/сек
9.0
13.7
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
25600
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 26 28
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2016
3322
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB Сравнения RAM
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Nanya Technology NT2GC64B8HC0NS-CG 2GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-3G2B2 32GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-3G2B2 32GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-4600C19A 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Hewlett-Packard 7EH64AA#ABC 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FDD2 8GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Golden Empire CL17-17-17 D4-2400 16GB
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Crucial Technology BL8G36C16U4WL.M8FE1 8GB
Kingston 99U5584-007.A00LF 4GB
Kingston 9905744-006.A00G 16GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G1A1 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Apacer Technology 78.DAGQ7.40B0B 16GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.C16FE 16GB
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Kingston MSI26D4S9S8ME-8 8GB
Kingston 99U5584-017.A00LF 4GB
Gloway International Co. Ltd. WAR4U2666D19161C-S 16GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Kingston ACR26D4U9S8ME-8X 8GB
Kingston 9905403-437.A01LF 4GB
Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link