RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Corsair CMW32GX4M2C3466C16 16GB
Porównaj
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB vs Corsair CMW32GX4M2C3466C16 16GB
Wynik ogólny
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Wynik ogólny
Corsair CMW32GX4M2C3466C16 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Corsair CMW32GX4M2C3466C16 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
26
40
Wokół strony -54% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
20.2
12.3
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
16.1
8.9
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
12800
Wokół strony 1.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Corsair CMW32GX4M2C3466C16 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
40
26
Prędkość odczytu, GB/s
12.3
20.2
Prędkość zapisu, GB/s
8.9
16.1
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
17000
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1789
3936
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB Porównanie pamięci RAM
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Samsung M378B1G73DB0-CK0 8GB
Corsair CMW32GX4M2C3466C16 16GB Porównanie pamięci RAM
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Corsair CMW32GX4M2C3466C16 16GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Corsair CMU32GX4M4C3400C16 8GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Micron Technology M471A1K43CB1-CTD 8GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Corsair CMV4GX4M1A2400C16 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Kingston ACR26D4U9D8MH-16 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G3B1 4GB
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Corsair CMU16GX4M2A2400C16 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Panram International Corporation L421008G4C1528K34O8A 8
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Corsair CM4X16GE2666C16K8 16GB
Kingston KF552C40-16 16GB
Kingston 9905702-119.A00G 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
V-Color Technology Inc. TC416G24D817 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston HP26D4S9S8MH-8 8GB
Kingston 99U5471-030.A00LF 8GB
Kingston KHX2400C14S4/8G 8GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Transcend Information TS1GLH64V4B 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link