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Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Corsair CMW32GX4M2C3466C16 16GB
比较
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB vs Corsair CMW32GX4M2C3466C16 16GB
总分
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
总分
Corsair CMW32GX4M2C3466C16 16GB
差异
规格
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差异
需要考虑的原因
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
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需要考虑的原因
Corsair CMW32GX4M2C3466C16 16GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
26
40
左右 -54% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
20.2
12.3
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
16.1
8.9
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
12800
左右 1.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Corsair CMW32GX4M2C3466C16 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
40
26
读取速度,GB/s
12.3
20.2
写入速度,GB/s
8.9
16.1
内存带宽,mbps
12800
17000
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
1789
3936
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calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology CT8G4SFRA266.C4FE 8GB
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Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
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Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.M8FA 4GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Kingston CBD32D4S2D8HD-16 16GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
G Skill Intl F4-4266C17-8GTZR 8GB
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