RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Crucial Technology BL8G36C16U4W.M8FE1 8GB
Porównaj
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB vs Crucial Technology BL8G36C16U4W.M8FE1 8GB
Wynik ogólny
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Wynik ogólny
Crucial Technology BL8G36C16U4W.M8FE1 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Crucial Technology BL8G36C16U4W.M8FE1 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
30
40
Wokół strony -33% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
19.6
12.3
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
15.5
8.9
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
12800
Wokół strony 1.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Crucial Technology BL8G36C16U4W.M8FE1 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
40
30
Prędkość odczytu, GB/s
12.3
19.6
Prędkość zapisu, GB/s
8.9
15.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
21300
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1789
3432
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB Porównanie pamięci RAM
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Samsung M378B1G73DB0-CK0 8GB
Crucial Technology BL8G36C16U4W.M8FE1 8GB Porównanie pamięci RAM
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Kingmax Semiconductor GLLG43F-D8KBGA------ 8GB
Kingston HP698651-154-MCN 8GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/8G 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-3G2E1 32GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Kingston 9905663-008.A00G 16GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSB.16FBR 16GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GRR 8GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
A-DATA Technology AM2P24HC4R1-BUPS 4GB
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.C8FD1 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZ 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Kingston 9905663-005.A00G 16GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
G Skill Intl F4-2400C17-16GIS 16GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.M8FA 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Kingston KHX2133C14S4/16G 16GB
Kingston 9905403-500.A01LF 8GB
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G9E1 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link