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Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Crucial Technology BL8G36C16U4W.M8FE1 8GB
比较
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB vs Crucial Technology BL8G36C16U4W.M8FE1 8GB
总分
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
总分
Crucial Technology BL8G36C16U4W.M8FE1 8GB
差异
规格
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差异
需要考虑的原因
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
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需要考虑的原因
Crucial Technology BL8G36C16U4W.M8FE1 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
30
40
左右 -33% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
19.6
12.3
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
15.5
8.9
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
12800
左右 1.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Crucial Technology BL8G36C16U4W.M8FE1 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
40
30
读取速度,GB/s
12.3
19.6
写入速度,GB/s
8.9
15.5
内存带宽,mbps
12800
21300
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
1789
3432
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB RAM的比较
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Samsung M378B1G73DB0-CK0 8GB
Crucial Technology BL8G36C16U4W.M8FE1 8GB RAM的比较
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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PNY Electronics PNY 2GB
Corsair CMK16GX4M2A2666C18 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Gold Key Technology Co Ltd NMGD416E82-4400G 16GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
V-Color Technology Inc. TA48G30S815GK 8GB
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
SK Hynix HMA42GR7AFR4N-UH 16GB
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Essencore Limited IM48GU48N21-FFFHM 8GB
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Crucial Technology BLT8G4D30AET4K.M8FE1 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Dust Leopard DDR4-2400 C16 8GB 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CM4X16GE2400C16S4 16GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
SK Hynix HMA41GR7AFR4N-UH 8GB
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