RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.M16FG 8GB
Porównaj
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB vs Crucial Technology CT8G4SFRA266.M16FG 8GB
Wynik ogólny
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Wynik ogólny
Crucial Technology CT8G4SFRA266.M16FG 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
2
16.6
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,978.2
15.0
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Crucial Technology CT8G4SFRA266.M16FG 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
38
66
Wokół strony -74% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
6400
Wokół strony 3.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.M16FG 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
66
38
Prędkość odczytu, GB/s
2,929.1
16.6
Prędkość zapisu, GB/s
2,978.2
15.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
21300
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
511
2961
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB Porównanie pamięci RAM
OCZ OCZ2SOE800URB1G 1GB
Kingston 9905295-025.B00LF 1GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.M16FG 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Teikon TMA81GS6AFR8N-UHSC 8GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FN 8GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FJ 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GIS 8GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
AMD R744G2400U1S-UO 4GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4L816GB2G82G83200 16GB
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
InnoDisk Corporation M4SI-8GS1NC0K-C 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Micron Technology 18ADF2G72AZ-2G6E1 16GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Corsair CM4X4GF2400C16K4 4GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Samsung M378A1K43BB1-CPB 8GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351U7CFR8C
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Kingston KHX2666C16/16G 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Kingston HP26D4U9S8ME-8X 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-3866C18-16GTZR 16GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Samsung M393A5143DB0-CPB 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link