RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-3000C14-8GVK 8GB
Porównaj
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB vs G Skill Intl F4-3000C14-8GVK 8GB
Wynik ogólny
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3000C14-8GVK 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3000C14-8GVK 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
27
40
Wokół strony -48% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
17.4
12.3
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
14.1
8.9
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
12800
Wokół strony 1.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-3000C14-8GVK 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
40
27
Prędkość odczytu, GB/s
12.3
17.4
Prędkość zapisu, GB/s
8.9
14.1
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
17000
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1789
3557
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB Porównanie pamięci RAM
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Samsung M378B1G73DB0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-3000C14-8GVK 8GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.M8FRS 8GB
Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Kingston 9905678-173.A00G 8GB
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Panram International Corporation D4N2666PS-16G 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Kingston 9905711-035.A00G 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FDD2 4GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
A-DATA Technology AO2P24HCST2-BTVS 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Corsair CMK8GX4M2D2666C16 4GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3B1 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
G Skill Intl F4-3000C14-16GVRD 16GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Kingston 99U5702-089.A00G 8GB
SK Hynix HMA81GS6CJR8N-VK 8GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.C4FE 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GFX 8GB
Kingston 99U5595-005.A00LF 2GB
A-DATA Technology AM2P26KC8T1-BXRS 8GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS8G4D30BESBK.8FB 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link